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Este Cmap, tiene información relacionada con: cuadro de elctronica basica, FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN Compuesto por Polarizaciones del FET, Dispositivos pnpn y otros comprende 7.1. Introducción 7.2. Diodos de cuatro capas 7.2.1. SIDAC 7.2.2. SBS 7.3. SCR 7.4. Activación o disparo y bloqueos de los tiristores. 7.4.1. Activación o disparo de un tiristor. 7.4.2. Bloqueo de un tiristor. 7.5. Regulación en potencia de un SCR. 7.6. Variantes del SCR. 7.6.1. Foto-SCR o LASCR 7.6.2. GTO 7.6.3. PUT 7.6.4. TRIAC 7.6.5. TRIAC con acoplado óptico 7.7. El transistor UJT ó de uniunión. 7.7.1. Funcionamiento de un UJT 7.7.2. Oscilador de relajación con UJT 7.8. Algunas aplicaciones típicas de los tiristores. 7.8.1. Regulación de luz 7.8.2. Control de velocidad de motores 7.8.3. Control de calor con sensor de temp, I. FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES compuesto por 4. Polarización DC del transistor BJT, FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN Compuesto por Dispositivos pnpn y otros, FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN Compuesto por FET., ELCTRONICA BASICA Se divide en FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN, Polarizaciones del FET comprende 6.1. Configuración de polarización fija. 6.2. Configuración de auto polarización. 6.3. Polarización mediante divisor de voltaje. 6.4. MOSFET de tipo decremental. 6.5. MOSFET de tipo incremental. 6.6. Redes combinadas. 6.7. Diseño 6.8. FET de canal –P y curva de polarizaciones para JFET., FET. comprende 5.1. Construcción y características de los JFET 5.2. Característica de transferencia. 5.3. Especificaciones de JFET 5.4. MOSFET de tipo decremental e incremental. 5.5. Manejo de MOSFET. 5.6. VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon) 5.7. CMOS (MOS con arreglo complementario)., I. FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES compuesto por 1. Diodos Semiconductores, 2. Aplicaciones de Diodos comprende 2.1. Análisis por medio de la recta de carga. 2.2. Aproximación de diodos. 2.3. Configuraciones de diodos en serie con entradas DC. 2.4. Configuración de diodos en paralelo y serie – paralelo. 2.5. Rectificación de media onda y rectificación de onda completa. 2.6. Circuitos recortadores, sujetadores, diodo zener y multiplicadores de voltaje, I. FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES compuesto por 3. Transistores bipolares, 4. Polarización DC del transistor BJT comprende 4.1. Punto de operación. 4.2. Circuito de polarización fija. 4.3. Circuito de polarización estabilizada por emisor. 4.4. Polarización por divisor de voltaje. 4.5. Polarizaciones DC con retroalimentación de voltaje. 4.6. Diversas configuraciones de polarización. 4.7. Operaciones de diseño. 4.8. Redes de conmutación con transistores. 4.9. Estabilización de polarización., 3. Transistores bipolares comprende 3.1. Construcción y operación de transistores. 3.2. Configuración en base común. 3.3. Acción de amplificación del transistor. 3.4. Configuración en emisor común. 3.5. Configuración en colector común. 3.6. Límite de operación, hoja de especificaciones , pruebas de transistores, I. FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES compuesto por 2. Aplicaciones de Diodos, 1. Diodos Semiconductores comprende 1.1. Diodo Ideal 1.2. Materiales semiconductores, niveles de energía y materiales extrínsecos. 1.3. Diodo semiconductor. 1.4. Circuitos equivalentes para diodos. 1.5. Capacitancia de transición y difusión 1.6. Tiempo de recuperación inverso. 1.7. Hoja de especificaciones, pruebas de diodos. 1.8. Diodos zener y diodos emisor de luz., ELCTRONICA BASICA Se divide en I. FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES